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【2h】

Strain analysis of the GaN epitaxial layers grown on nitridated Si(111) substrate by metal organic chemical vapor deposition

机译：金属有机化学气相沉积法在氮化Si（111）衬底上生长的GaN外延层的应变分析

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作者
Ozturk, M. K.; Arslan, E.; Kars, I.; Ozcelik, S.; Ozbay, E.;
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年度 2013
总页数
原文格式 PDF
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